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Fig. 7. Input Admittance
OBSOLETE
IXFN36N110P
Fig. 8. Transconductance
65
60
55
80
70
50
45
40
35
30
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
60
50
40
30
T J = - 40oC
25oC
125oC
20
15
10
5
0
20
10
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 550V
I D = 18A
I G = 10mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.100
1,000
Coss
0.010
100
10
f = 1 MHz
Crss
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_36N110P(99) 04-01-08-A
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